ทำไมคุณถึงเชื่อใจในธุรกิจของคุณกับเรา?
เรานำความตื่นตระหนกออกจากการจัดหา เราเก็บชิ้นส่วนที่หายากหลายล้านชิ้นจากแหล่งที่เชื่อถือได้ของเรา เรารีเฟรชรายชื่อผลิตภัณฑ์เป็นนาทีและการสั่งซื้อออนไลน์จะเสร็จสมบูรณ์ตามเวลาจริงและจัดส่งทุกวัน
MFGChips ก่อตั้งขึ้นในปี 2545 เป็นผู้นำในการจัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และได้รับการยอมรับว่าเป็นหนึ่งใน บริษัท ที่ได้รับการยอมรับและมีนวัตกรรมมากที่สุดในตลาดท้องถิ่นในปัจจุบัน MFGChips ซึ่งมีสำนักงานใหญ่ในฮ่องกงได้รับชื่อเสียงที่น่าประทับใจในการให้บริการที่ยอดเยี่ยมและการพัฒนาโซลูชั่นห่วงโซ่อุปทานทั่วโลกที่มีประสิทธิภาพ
เรียนรู้เพิ่มเติม >
ทีวีไดโอดสำหรับการป้องกัน SIC MOSFET
ซีรี่ส์ TVS Diode ให้การป้องกันองค์ประกอบเดี่ยวสำหรับไดรเวอร์ SIC MOSFET Gate ทำให้การออกแบบง่ายขึ้นและปรับปรุงการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินในระบบ EV
Littelfuse, Inc. ได้ประกาศเปิดตัวซีรีย์ TPSMB แบบอสมมาตร TVS Diodeบริษัท อ้างว่าผลิตภัณฑ์นี้เป็นไดโอดแบบไม่สมมาตรครั้งแรกที่ได้รับการออกแบบมาอย่างชัดเจนเพื่อปกป้องไดรเวอร์ Silicon Carbide (SIC) MOSFET Gate ในแอปพลิเคชันยานยนต์ไดโอดกล่าวถึงความจำเป็นในการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินในระบบรถยนต์ไฟฟ้า (EV) ซึ่งนำเสนอโซลูชันองค์ประกอบเดียวที่แทนที่ไดโอด Zener หลายตัวหรือส่วนประกอบทีวีที่ใช้ก่อนหน้านี้สำหรับการป้องกันไดรเวอร์ประตู
ซีรีย์ไดโอด TPSMB แบบไม่สมมาตรของ TPSMB ให้การป้องกันสำหรับไดรเวอร์ SIC MOSFET Gate ซึ่งมีความเสี่ยงต่อเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกินเนื่องจากความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้นเมื่อเทียบกับ MOSFET หรือ IGBTS ที่ใช้ซิลิกอนแบบดั้งเดิมการออกแบบแบบอสมมาตรรองรับการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของไดรเวอร์บวกและลบที่แตกต่างกันของ SIC MOSFETs เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพในแอปพลิเคชันพลังงานยานยนต์เช่นเครื่องชาร์จออนบอร์ด (OBCs) อินเวอร์เตอร์แรงฉุด EV, อินเทอร์เฟซ I/O และรถบัส VCCแอปพลิเคชันเหล่านี้ต้องการการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินเพื่อรักษาประสิทธิภาพความทนทานและประสิทธิภาพ
TPSMB ซีรี่ส์แบบไม่สมมาตรของ TVS Diode มีคุณสมบัติหลายอย่างเพื่อปกป้องไดรเวอร์ SIC MOSFET Gate ในแอปพลิเคชันยานยนต์ข้อดีอย่างหนึ่งคือความสามารถในการให้การป้องกันไดรเวอร์ SIC MOSFET เกตเดียวไม่จำเป็นต้องใช้ไดโอดเซนเนอร์หรือทีวีหลายตัวและลดจำนวนส่วนประกอบไดโอดถูกออกแบบมาสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกตเกตแบบอสมมาตรโดยระบุการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าเชิงลบและบวกที่แตกต่างกันของ SIC MOSFETs
ไดโอดมาในแพ็คเกจ DO-214AA เหมาะสำหรับการออกแบบยานยนต์ที่มีพื้นที่ จำกัดเป็น AEC-Q101 ที่ผ่านการรับรองเพื่อให้มั่นใจถึงความน่าเชื่อถือสำหรับแอปพลิเคชันยานยนต์ซีรี่ส์อสมมาตร TPSMB ให้การป้องกันด้วยความสามารถในการกระจายพลังงานสูงถึง 600W สูงสุดพัลส์การกระจายพลังงานสูงสุดช่วยป้องกันเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกินชั่วคราวได้อย่างมีประสิทธิภาพไดโอดยังมีแรงดันไฟฟ้าที่หนีบต่ำปกป้องไดรฟ์เกตเชิงลบ
Charlie Cai ผู้อำนวยการฝ่ายจัดการผลิตภัณฑ์ธุรกิจการป้องกัน Littelfuse เน้นคุณค่าของผลิตภัณฑ์นี้นำไปสู่วิศวกรยานยนต์:“ ซีรีย์ไดโอดทีวีแบบอสมมาตร TPSMB นำเสนอโซลูชั่นที่เป็นนวัตกรรมสำหรับการป้องกันไดรเวอร์ Sic Mosfet Gateกระบวนการออกแบบสำหรับวิศวกรการออกแบบที่มีขนาดกะทัดรัดและเชื่อถือได้ทำให้มั่นใจได้ว่าระบบพลังงานยานยนต์ที่สำคัญได้รับการปกป้องจากเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าที่เกินความพร้อมสนับสนุนความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องของยานพาหนะไฟฟ้าและแอพพลิเคชั่นประสิทธิภาพสูงอื่น ๆ ”
Littelfuse, Inc. ได้ประกาศเปิดตัวซีรีย์ TPSMB แบบอสมมาตร TVS Diodeบริษัท อ้างว่าผลิตภัณฑ์นี้เป็นไดโอดแบบไม่สมมาตรครั้งแรกที่ได้รับการออกแบบมาอย่างชัดเจนเพื่อปกป้องไดรเวอร์ Silicon Carbide (SIC) MOSFET Gate ในแอปพลิเคชันยานยนต์ไดโอดกล่าวถึงความจำเป็นในการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินในระบบรถยนต์ไฟฟ้า (EV) ซึ่งนำเสนอโซลูชันองค์ประกอบเดียวที่แทนที่ไดโอด Zener หลายตัวหรือส่วนประกอบทีวีที่ใช้ก่อนหน้านี้สำหรับการป้องกันไดรเวอร์ประตู
ซีรีย์ไดโอด TPSMB แบบไม่สมมาตรของ TPSMB ให้การป้องกันสำหรับไดรเวอร์ SIC MOSFET Gate ซึ่งมีความเสี่ยงต่อเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกินเนื่องจากความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้นเมื่อเทียบกับ MOSFET หรือ IGBTS ที่ใช้ซิลิกอนแบบดั้งเดิมการออกแบบแบบอสมมาตรรองรับการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของไดรเวอร์บวกและลบที่แตกต่างกันของ SIC MOSFETs เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพในแอปพลิเคชันพลังงานยานยนต์เช่นเครื่องชาร์จออนบอร์ด (OBCs) อินเวอร์เตอร์แรงฉุด EV, อินเทอร์เฟซ I/O และรถบัส VCCแอปพลิเคชันเหล่านี้ต้องการการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินเพื่อรักษาประสิทธิภาพความทนทานและประสิทธิภาพ
TPSMB ซีรี่ส์แบบไม่สมมาตรของ TVS Diode มีคุณสมบัติหลายอย่างเพื่อปกป้องไดรเวอร์ SIC MOSFET Gate ในแอปพลิเคชันยานยนต์ข้อดีอย่างหนึ่งคือความสามารถในการให้การป้องกันไดรเวอร์ SIC MOSFET เกตเดียวไม่จำเป็นต้องใช้ไดโอดเซนเนอร์หรือทีวีหลายตัวและลดจำนวนส่วนประกอบไดโอดถูกออกแบบมาสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกตเกตแบบอสมมาตรโดยระบุการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าเชิงลบและบวกที่แตกต่างกันของ SIC MOSFETs
ไดโอดมาในแพ็คเกจ DO-214AA เหมาะสำหรับการออกแบบยานยนต์ที่มีพื้นที่ จำกัดเป็น AEC-Q101 ที่ผ่านการรับรองเพื่อให้มั่นใจถึงความน่าเชื่อถือสำหรับแอปพลิเคชันยานยนต์ซีรี่ส์อสมมาตร TPSMB ให้การป้องกันด้วยความสามารถในการกระจายพลังงานสูงถึง 600W สูงสุดพัลส์การกระจายพลังงานสูงสุดช่วยป้องกันเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าเกินชั่วคราวได้อย่างมีประสิทธิภาพไดโอดยังมีแรงดันไฟฟ้าที่หนีบต่ำปกป้องไดรฟ์เกตเชิงลบ
Charlie Cai ผู้อำนวยการฝ่ายจัดการผลิตภัณฑ์ธุรกิจการป้องกัน Littelfuse เน้นคุณค่าของผลิตภัณฑ์นี้นำไปสู่วิศวกรยานยนต์:“ ซีรีย์ไดโอดทีวีแบบอสมมาตร TPSMB นำเสนอโซลูชั่นที่เป็นนวัตกรรมสำหรับการป้องกันไดรเวอร์ Sic Mosfet Gateกระบวนการออกแบบสำหรับวิศวกรการออกแบบที่มีขนาดกะทัดรัดและเชื่อถือได้ทำให้มั่นใจได้ว่าระบบพลังงานยานยนต์ที่สำคัญได้รับการปกป้องจากเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าที่เกินความพร้อมสนับสนุนความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องของยานพาหนะไฟฟ้าและแอพพลิเคชั่นประสิทธิภาพสูงอื่น ๆ ”